El recobriment per polverització de magnetrón és un nou mètode de recobriment de vapor físic, en comparació amb el mètode de recobriment per evaporació anterior, els seus avantatges en molts aspectes són força notables.Com a tecnologia madura, la pulverització de magnetrons s'ha aplicat en molts camps.
Principi de polverització de magnetrons:
S'afegeix un camp magnètic ortogonal i un camp elèctric entre el pol objectiu (càtode) i l'ànode, i el gas inert necessari (generalment gas Ar) s'omple a la cambra d'alt buit.L'imant permanent forma un camp magnètic de 250-350 gaus a la superfície del material objectiu, i el camp electromagnètic ortogonal es compon del camp elèctric d'alta tensió.Sota l'efecte del camp elèctric, la ionització del gas Ar en ions positius i electrons, s'orienta i té una certa pressió negativa, des de l'objectiu del pol per l'efecte del camp magnètic i l'augment de la probabilitat d'ionització del gas de treball, formen un plasma d'alta densitat a prop del càtode, ió d'Ar sota l'acció de la força de Lorentz, s'accelera per volar a la superfície de l'objectiu, bombardejant la superfície de l'objectiu a gran velocitat, els àtoms de l'objectiu segueixen el principi de conversió de la quantitat de moviment i volen lluny de la superfície de l'objectiu amb una cinètica alta. energia a la pel·lícula de deposició del substrat.
La pulverització de magnetrons generalment es divideix en dos tipus: pulverització de CC i pulverització de RF.El principi de l'equip de sputtering DC és senzill i la velocitat és ràpida quan sputtering metall.L'ús de la RF catòdica és més extens, a més dels materials conductors de sputtering, però també sputtering materials no conductors, però també la preparació de sputtering reactiu d'òxids, nitrurs i carburs i altres materials compostos.Si la freqüència de RF augmenta, es converteix en pols de plasma de microones.En l'actualitat, s'utilitza habitualment la ressonància de ciclotró electrònic (ECR) tipus sputtering de plasma de microones.
Material objectiu de recobriment de catòfora de magnetrón:
Material objectiu de sputtering metàl·lic, material de recobriment de sputtering d'aliatge de revestiment, material de revestiment de sputtering ceràmic, materials objectiu de sputtering de ceràmica de borur, material d'objectiu de sputtering de ceràmica de carbur, material d'objectiu de sputtering de ceràmica de fluor, materials de objectiu de sputtering de ceràmica de nitrur, objectiu de ceràmica d'òxid, material d'objectiu de sputtering de ceràmica de seleniur, Materials objectiu de pulverització ceràmica de siliciur, material objectiu de pulverització de ceràmica de sulfur, objectiu de pulverització de ceràmica de tellurur, un altre objectiu de ceràmica, objectiu de ceràmica d'òxid de silici dopat amb crom (CR-SiO), objectiu de fosfur d'indi (InP), objectiu d'arsenur de plom (PbAs), arsenur d'indi objectiu (InAs).
Hora de publicació: 03-agost-2022