Molts usuaris han d'haver sentit a parlar del producte de l'objectiu de sputtering, però el principi de l'objectiu de sputtering hauria de ser relativament desconegut.Ara, l'editor deMaterial especial ric (RSM) comparteix els principis de catòfora de magnetrons de l'objectiu.
S'afegeix un camp magnètic ortogonal i un camp elèctric entre l'elèctrode objectiu (càtode) i l'ànode, el gas inert requerit (generalment gas Ar) s'omple a la cambra d'alt buit, l'imant permanent forma un camp magnètic de 250 ~ 350 Gauss. la superfície de les dades objectiu i el camp electromagnètic ortogonal es forma amb el camp elèctric d'alta tensió.
Sota l'efecte del camp elèctric, el gas Ar s'ionitza en ions positius i electrons.S'afegeix un cert alt voltatge negatiu a l'objectiu.L'efecte del camp magnètic sobre els electrons emesos des del pol objectiu i la probabilitat d'ionització del gas de treball augmenten, formant un plasma d'alta densitat prop del càtode.Sota l'efecte de la força de Lorentz, els ions Ar s'acceleren a la superfície de l'objectiu i bombardegen la superfície de l'objectiu a una velocitat molt alta, els àtoms de l'objectiu segueixen el principi de conversió de l'impuls i volen lluny de la superfície de l'objectiu al substrat amb una gran energia cinètica. per dipositar pel·lícules.
La pulverització de magnetrons generalment es divideix en dos tipus: la pulverització catòdica tributària i la pulverització de RF.El principi de l'equip de sputtering tributari és senzill, i la seva velocitat també és ràpida quan sputtering metall.Sputtering RF s'utilitza àmpliament.A més de fer catòfores de materials conductors, també pot escampar materials no conductors.Al mateix temps, també duu a terme sputtering reactiu per preparar materials d'òxids, nitrurs, carburs i altres compostos.Si s'augmenta la freqüència de RF, es convertirà en pols de plasma de microones.Ara, s'utilitza habitualment la ressonància de ciclotrons electrònics (ECR) per plasma de microones.
Hora de publicació: 31-maig-2022