Sobre l'aplicació i el principi de la tecnologia objectiu de pulverització, alguns clients han consultat a RSM, ara per aquest problema que més preocupa, els experts tècnics comparteixen alguns coneixements específics relacionats.
Aplicació objectiu de pulverització catòdica:
Les partícules de càrrega (com els ions d'argó) bombardegen una superfície sòlida, fent que les partícules superficials, com ara àtoms, molècules o feixos escapen de la superfície de l'objecte fenomen anomenat "sputtering".En el recobriment de polverització de magnetrons, els ions positius generats per la ionització d'argó s'utilitzen normalment per bombardejar el sòlid (objectiu) i els àtoms neutres polveritzats es dipositen al substrat (peça de treball) per formar una capa de pel·lícula.El recobriment de polverització de magnetrón té dues característiques: "baixa temperatura" i "ràpid".
Principi de polverització de magnetrons:
S'afegeix un camp magnètic ortogonal i un camp elèctric entre el pol objectiu (càtode) i l'ànode, i el gas inert necessari (generalment gas Ar) s'omple a la cambra d'alt buit.L'imant permanent forma un camp magnètic de 250-350 Gauss a la superfície del material objectiu i forma un camp electromagnètic ortogonal amb el camp elèctric d'alta tensió.
Sota l'acció del camp elèctric, el gas Ar s'ionitza en ions positius i electrons, i hi ha una certa pressió negativa alta a l'objectiu, de manera que els electrons emesos des del pol objectiu es veuen afectats pel camp magnètic i la probabilitat d'ionització del treball. augmenta el gas.Es forma un plasma d'alta densitat prop del càtode i els ions Ar s'acceleren cap a la superfície de l'objectiu sota l'acció de la força de Lorentz i bombardegen la superfície de l'objectiu a gran velocitat, de manera que els àtoms de l'objectiu s'escapi de la superfície de l'objectiu amb una gran velocitat. energia cinètica i volar al substrat per formar una pel·lícula segons el principi de conversió de moment.
La pulverització de magnetrons generalment es divideix en dos tipus: pulverització de CC i pulverització de RF.El principi de l'equip de sputtering DC és senzill i la velocitat és ràpida quan sputtering metall.L'ús de la RF catòdica és més extens, a més dels materials conductors de sputtering, però també sputtering materials no conductors, però també la preparació de sputtering reactiu d'òxids, nitrurs i carburs i altres materials compostos.Si la freqüència de RF augmenta, es converteix en pols de plasma de microones.En l'actualitat, s'utilitza habitualment la ressonància de ciclotró electrònic (ECR) tipus sputtering de plasma de microones.
Hora de publicació: 01-agost-2022