El recobriment al buit es refereix a l'escalfament i l'evaporació de la font d'evaporació al buit o a la polverització amb bombardeig iònic accelerat i dipositar-lo a la superfície del substrat per formar una pel·lícula d'una sola capa o multicapa.Quin és el principi del recobriment al buit?A continuació, l'editor de RSM ens ho presentarà.
1. Recobriment per evaporació al buit
El recobriment d'evaporació requereix que la distància entre les molècules de vapor o els àtoms de la font d'evaporació i el substrat que s'ha de revestir ha de ser inferior a la trajectòria lliure mitjana de les molècules de gas residual a la sala de recobriment, per garantir que les molècules de vapor del l'evaporació pot arribar a la superfície del substrat sense xocar.Assegureu-vos que la pel·lícula sigui pura i ferma i que l'evaporació no s'oxidi.
2. Revestiment de pulverització al buit
En el buit, quan els ions accelerats xoquen amb el sòlid, d'una banda, el cristall es fa malbé, d'altra banda, xoquen amb els àtoms que formen el cristall, i finalment els àtoms o molècules de la superfície del sòlid. escampar cap a fora.El material polsat es xapa sobre el substrat per formar una pel·lícula fina, que s'anomena revestiment de pulverització al buit.Hi ha molts mètodes de sputtering, entre els quals la sputtering de díodes és el més primerenc.Segons diferents objectius de càtode, es pot dividir en corrent continu (DC) i alta freqüència (RF).El nombre d'àtoms que s'efectuen en impactar la superfície objectiu amb un ió s'anomena velocitat de pulverització.Amb una alta velocitat de pulverització, la velocitat de formació de la pel·lícula és ràpida.La velocitat de pulverització està relacionada amb l'energia i el tipus d'ions i el tipus de material objectiu.En termes generals, la velocitat de pulverització augmenta amb l'augment de l'energia iònica humana i la taxa de pulverització dels metalls preciosos és més alta.
Hora de publicació: 14-jul-2022