En l'actualitat, gairebé tots els objectius de coure metàl·lic d'alta puresa de gamma alta que requereix la indústria IC estan monopolitzats per diverses grans empreses multinacionals estrangeres.S'han d'importar tots els objectius de coure ultrapur necessaris per la indústria nacional d'IC, cosa que no només és car, sinó que també és complicat en els procediments d'importació. Per tant, la Xina necessita millorar urgentment el desenvolupament i la verificació d'objectius de pulverització de coure d'alta puresa (6N) .Fem una ullada als punts clau i les dificultats en el desenvolupament d'objectius de pulverització de coure d'alta puresa (6N).
1、Desenvolupament de materials de puresa ultra alta
La tecnologia de purificació de metalls de Cu, Al i Ta d'alta puresa a la Xina està lluny de la dels països industrials desenvolupats.En l'actualitat, la majoria dels metalls d'alta puresa que es poden proporcionar no poden complir els requisits de qualitat dels circuits integrats per a objectius de polverització d'acord amb els mètodes convencionals d'anàlisi de tots els elements de la indústria.El nombre d'inclusions a l'objectiu és massa elevat o està distribuït de manera desigual.Sovint es formen partícules a l'hòstia durant la polverització, donant lloc a un curtcircuit o un circuit obert d'interconnexió, que afecta greument el rendiment de la pel·lícula.
2、Desenvolupament de tecnologia de preparació d'objectius per polverització de coure
El desenvolupament de la tecnologia de preparació d'objectius de polverització de coure se centra principalment en tres aspectes: mida del gra, control d'orientació i uniformitat.La indústria dels semiconductors té els requisits més alts per a objectius de polverització i evaporació de matèries primeres.Té requisits molt estrictes per al control de la mida del gra superficial i l'orientació del cristall de l'objectiu.La mida del gra de l'objectiu s'ha de controlar a 100μ M a continuació, per tant, el control de la mida del gra i els mitjans d'anàlisi i detecció de correlacions són molt importants per al desenvolupament d'objectius metàl·lics.
3、Desenvolupament de l'anàlisi iprovant tecnologia
L'alta puresa de l'objectiu significa la reducció d'impureses.En el passat, el plasma acoblat inductiu (ICP) i l'espectrometria d'absorció atòmica s'utilitzaven per determinar les impureses, però en els darrers anys, l'anàlisi de qualitat de descàrrega brillant (GDMS) amb una sensibilitat més alta s'ha utilitzat gradualment com a estàndard. mètode.El mètode RRR de relació de resistència residual s'utilitza principalment per a la determinació de la puresa elèctrica.El seu principi de determinació és avaluar la puresa del metall base mesurant el grau de dispersió electrònica d'impureses.Com que es tracta de mesurar la resistència a temperatura ambient i temperatura molt baixa, és senzill prendre el nombre.En els darrers anys, per explorar l'essència dels metalls, la investigació sobre puresa ultra alta és molt activa.En aquest cas, el valor RRR és la millor manera d'avaluar la puresa.
Hora de publicació: maig-06-2022